第八讲 PN结机理

上一讲说,N型半导体和P型半导体有机结合后,其交界面处就叫做PN结。其交界面的情况会是什么样子的呢?图示说明。


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       图中,左边是P型半导体,右边是N型半导体,P型半导体布满了空穴,N型半导体布满了自由电子。
       物质具有从浓度高的向浓度低的方向扩展的能力,一滴红墨水,滴入一杯清水中,红墨水就会向清水中渗透,这其实是扩散,最终,这滴红墨水均匀融入到清水中,形成均匀的淡红色的水。
       空穴和自由电子也具有扩散的能力,左边空穴浓度高,右边空穴浓度低(右边的空穴图中没画,是由于热激发产生的,少量的,左边的自由电子也是一样,后面不在描述)。则左边的空穴要越过PN结向右边扩散,右边的自由电子浓度高,左边自由电子浓度低,则右边的自由电子要越过PN结向左边扩散,两者在互相扩散过程中因相遇而复合(消失了),则PN结附近的两边自由电子和空穴都没有了。



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       这时,我们说,PN结具有一定的宽度。



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       这个空白区域有许多名称,都是可以的。1)空间电荷区;2)势垒区;3)耗尽层等。
实际上,空间电荷区并不是空的,确实是有电荷的,不过那不是空穴和自由电子,而是正离子和负离子,哪儿来的?
       N型一边掺入的P原子的是5价,核内有5个原子核带正电,和周围四个电子(不是自由电子,自由电子已经因复合而耗尽)抵消,剩下一个正离子。
       P型一边掺入的B原子的是3价,核内有3个原子核带正电,和周围四个电子(同上,不是自由电子,自由电子已经因复合而耗尽)抵消,还少一个正离子,即多了一个负离子。
       因此,可以画做为:


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       则PN结由一条线变成了有一定宽度了。
       注意这时耗尽区里面的正负离子间就产生了一定的电压(书上说叫电场,那就电场吧),称内建电场。其右边正左边负。电场方向是&szlig;&szlig;&szlig;&szlig;
       由于扩散、复合、耗尽(没了)需要时间(短的很),就此时而言,扩散、复合、耗尽的还很少,所以,空间电荷区很窄,正负离子数还很少,所以,内建电场的电压值还很小,该电场具有阻碍扩散的能力,但,暂时阻碍的力量还很小。
       因此,左右的空穴和自由电子还要继续扩散,有互相扩散就会复合和耗尽,使空间电荷区越来越大,空间电荷数目越来越多,内建电场的电压越来越大,阻碍扩散的能力就越来越强。
       但是,由于两边有少数载流子,这内建电场具有吸引对方少数载流子的能力,我们称为“漂移”,又使得耗尽层变窄,正负离子数目变少,内建电场电压减小。反过来,又加快了扩散运动的进行,又……。
       扩散导致正负离子变多,内建电场加大,耗尽层变宽,阻碍扩散进行,加速漂移运动;
       漂移导致正负离子变少,内建电场减弱,耗尽层变窄,阻碍漂移进行,加速扩散运动;
       这样,扩散和漂移运动互相制约又互相交叉从而一刻不停,使得耗尽层宽度、内建电场电压正负离子数量动态的维持在一定的量值上。这被称为动态平衡。
       有一点,内建电场在常温下动态维持在约0.65V左右。其宽度与掺杂轻重有关,其正负离子数量与这块PN结半导体的长宽高有关。
       注意体会:这里的“动态平衡”二字的含义。




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                                                              内建电场的方向 

冯大同 发表于03-07 14:24 浏览65535次
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冯大同
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