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功率MOSFET PCB设计以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛 ...
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冯大同 | 发表时间 2014-05-26
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高压金属氧化物半导体场效应晶体管技术在过去几年中经历了很大的变化，这为电源工程师提供了许多选择。了解 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-11
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igbt管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor） ...
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hcay | 发表时间 2014-11-13
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1. 发力可穿戴：LG 智能耳机、手环本月 18 日开卖。今年 1 月的 CES 上，LG 向公众展 ...
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冯大同 | 发表时间 2014-05-14
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本文使用FEKO软件对机载天线建模和仿真，分析了飞机各个部分对某L波段导航天线水平面方向图的影响，发 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-06-18
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为了防止开关电源(开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的 ...
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畅学e | 发表时间 2015-04-25
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风能、太阳能等新能源均需经过电力电子变换才能接入电网，随着新能源发电量的逐年攀升，市场对电力电子变换 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2016-11-26
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单从字意上理解，Clock Resources即时钟资源，从广义上来讲，时钟资源不仅包括了文档中重点 ...
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hcay | 发表时间 2014-10-13
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导读： 三十多年来，本体硅（bulk silicon）MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要C ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-17
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下图形象的说明了运放的输入端阻抗的特性。主要有两个参数，输入阻抗和输入电容。对于电压反馈型运入，输 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-13
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低压差分信号LVDS（Low Voltage DifFErential Signal）是由ANSI/ ...
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倩倩 | 发表时间 2014-06-13
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在已有的Linux操作系统中，安装另一个开源操作系统，我们一般是先构建新操作系统的chroot基础环 ...
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lihong | 发表时间 2015-11-20
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众所周知，HFSS里面的吸收边界条件有3个，分别是Radiation（ABC）、PML和FE-BI， ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-09
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本设计是一个面向应用的framebufFEr驱动，文中给出了DVI驱动的整体架构，对主要模块的设计思 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-03-18
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同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给 ...
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期待 | 发表时间 2015-03-30
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MOSFET的全名是Metal-Oxide-Semiconductor Field-EfFEct T ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-14
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安森美公司的NCV8876是一个非同步升压控制器，用于车辆启动/停止过程中，车辆电池电压跌落时，提供 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-08-18
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在FPGA平台上应用System Generator工具实现了高精度频率估计RiFE算法。不同于传统 ...
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倩倩 | 发表时间 2014-06-20
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本文中提出了针对于MOSFET击穿的两种常见成因，并且对此进行了问题分析及提出解决方案。 ...
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hcay | 发表时间 2015-01-31
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不间断电源被大量使用在信息和数据保护设备上，不间断电源的发展很大程度上是依赖于IGBT、Power ...
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hcay | 发表时间 2014-11-21
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