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将单片机应用于工业控制，不仅可靠性高还可以控制成本。本设计采用Freescale公司的16位单片机M ...
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lihong | 发表时间 2016-03-01
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MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？J ...
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晓晓nn | 发表时间 2016-03-31
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本设计指南的目的是帮助设计工程师在其功率因数校正（PFC）设计中实现尽可能高的MOSFET效率。 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-16
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本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。可以说， ...
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Qt 是一个跨平台的 C++ 图形用户界面库，由挪威 TrollTech 公司出品，目前包括Qt， ...
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州仔 | 发表时间 2014-06-28
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采用晶圆级封装(waFEr-level package；WLP)可降低解决方案的整体尺寸及成本。然而 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-08-14
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本文只是简单介绍一下初学者如何用Proteus 6 ProFEssional来仿真AVR单片机， ...
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Dabing | 发表时间 2015-02-04
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在《可替代集成MOSFET的分立器件》中，我们讨论了 MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器 ...
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中断是现代操作系统的一大特点，在嵌入式系统尤为明显，中断函数在驱动程序中的作用非常重要，相当于各种函 ...
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郭秀斌 | 发表时间 2014-05-14
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该应用笔记检验了影响放大器噪声的关键参数,说明不同放大器设计(双极型、JFET输入或CMOS输入设计 ...
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期待 | 发表时间 2015-03-31
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本文介绍三种利用 DAC、运算放大器和 MOSFET 晶体管构建支持串行接口数字控制 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-05-19
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本文用超级结MOSFET时栅极会振荡如何解决? 来继续为大家讲解如何调整PCB布局以降低超级结MOS ...
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hcay | 发表时间 2015-01-19
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本文提出一个简单的工作在PoE+功率级(30W)的PD电路，它借助了一个外部MOSFET和一个针对旧 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-05-12
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作为一名功率MOSFET工程师，在FET数据表的所有内容中，除了电流额定值之外，被问到的最多的问题可 ...
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关于“回车”（carriage return）和“换行”（line FEed）这两个概念的来历和区 ...
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永不止步步 | 发表时间 2017-04-12
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晓晓nn | 发表时间 2021-04-12
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介绍了一种功率较大的可多路独立供电的半桥DC／DC变换器。采用了有源功率因数校正技术以实现系统的高功 ...
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期待 | 发表时间 2015-05-12
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本文主要讲了led数码管用万用表hFE档检测方法，下面一起来学习一下： ...
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晓晓nn | 发表时间 2018-07-20
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文章详细介绍了占空比半导体公司的DU8623芯片，基于非隔离BUCK拓扑、集成源极驱动MOSFET, ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-06-18
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET易于 ...
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hcay | 发表时间 2014-11-29
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