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该电路采用NMOS场效应管作为功率输出器件， 设计并实现了较大功率的直流电机H 桥驱动电路，并对额定 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-05-13
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大部分的ESD电流来自电路外部，因此ESD保护电路一般设计在PAD旁，I/O电路内部。典型的I/O电 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-07-08
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粽子糖果 | 发表时间 2017-03-09
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对于一个MOS电路来说，计算的话，有两个参数是比较重要的。一个是vth，一个是UnCox。不考虑其他 ...
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期待 | 发表时间 2015-04-11
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74ls373和74hc573都是八D锁存器（三态）。74ls373是TTL电路，电源电压是5V ...
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长长11 | 发表时间 2020-03-14
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本文介绍了一款高性能带隙基准电压源的总体电路图。本电路采用Chartered0.35靘CMOS工艺实 ...
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hcay | 发表时间 2014-12-06
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采用直接数字放大技术,设计了基于DPPC2006的数字音频功率放大器,该系统采用高速VMOSFET构 ...
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基于SMIC 180 nm混合信号CMOS工艺，实现了一种应用于音频信号的16 bit四阶级联Sig ...
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AJ代发 | 发表时间 2016-05-06
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本文的大功率宽频带线性射频放大器是利用MOS场效应管(MOSFET)来设计的，采取AB类推挽式功率放 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-11-24
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TTL电平的VIH/VIL一般是2V/0.8V,VOH/VOL一般是 2.4V/0.4V，不论是3. ...
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期待 | 发表时间 2015-10-17
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分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少V ...
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PT6913芯片 采用线性恒流控制输出电流，内部集成功率MOS,输出电流可通过外部电阻设定为10mA ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-04-25
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MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在 ...
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晓晓nn | 发表时间 2018-11-03
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采用自行设计的8位RISC结构低功耗MCU作为节点控制核心，使用门控时钟、两相时钟流水和休眠唤醒机制 ...
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lihong | 发表时间 2016-03-11
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功率放大器是大功率器件,其自身会消耗大部分的功耗,并导致功率放大器芯片的温度在一个很大的范围内变化, ...
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采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出0.5V的带 ...
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近年来,随着无线通信技术的蓬勃发展,可兼容多种移动通信系统标准的新一代移动终端的研究正逐渐成为热点。 ...
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期待 | 发表时间 2015-05-09
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关于MOSFET很多人都不甚理解，这次小编再带大家仔细梳理一下，也许对于您的知识系统更加全面。下面是 ...
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永不止步步 | 发表时间 2016-01-28
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ADC0809是带有8位A/D转换器、8路多路开关以及微处理机兼容的控制逻辑的CMOS组件。它是逐次 ...
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期待 | 发表时间 2015-03-23
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开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源 ...
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hcay | 发表时间 2015-01-27
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