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来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层 ...
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NCL30160和NCL30161是安森美半导体较新的两款DC-DC LED驱动器。NCL30161 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-08-14
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分析MEMS与CMOS技术的异同 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-02-17
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设计以TMS320F28335作为处理器，采用驱动芯片和MOSFET的形式驱动两台无刷直流电动机。在 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-11-24
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本文主要讲了cMOS集成电路组成的直流电机调速电路图，下面一起来学习一下： ...
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晓晓nn | 发表时间 2017-05-09
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本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS （零电压转换） 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-21
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XLT604是采用BICMOS工艺设计的PWM高效LED驱动控制器，它在DC8～450V输入电压范围 ...
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hcay | 发表时间 2014-12-25
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MOS管击穿原因和防护措施！ ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-01-13
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本文主要描述了采用1.2V基线65nm CMOS技术实现8.04Vpp和3.6GHz工作频率的首款宽 ...
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畅学e | 发表时间 2015-04-23
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本文采用自举升压电路，设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路。该电路基于Samsung A ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-14
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文针采用具有图像截取功能的CMOS数字图像传感器OV7620，取代CCD模拟传感器加视频解码芯片SA ...
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在这篇文章里，介绍了一种能达到AB类特性轨到轨CMOS模拟缓冲器的电路技巧，产生了具有低功耗和高的驱 ...
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畅学e | 发表时间 2015-04-17
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本文主要讲了如何解决MOS管发热问题，下面一起来学习一下： ...
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晓晓nn | 发表时间 2018-08-20
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关注点一：功率半导体器件性能
1998年，Infineon公司推出冷MOS管，它采用“超级 ...
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晴空万里 | 发表时间 2014-08-08
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现代半导体器件的规模越来越大，工作电压越来越低，导致了半导体器件对外界电磁骚扰敏感程度也大大提高。E ...
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本文叙述了L4970A 系列大功率单片集成开关电源是ST 公司继L4960 系列之后推出的第二代产品 ...
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YYJ | 发表时间 2015-05-05
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本文主要介绍TTL、CMOS电平和OC门等相关知识 ...
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莫北北 | 发表时间 2014-11-20
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为了采集数据量大的图像数据,本文采用了具有较高传输速率的增强型并行口协议(EPP)和FPGA,实现对 ...
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期待 | 发表时间 2015-05-09
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给出一低功耗、低温度系数的电压基准源电路的设计。其特点是利用工作在弱反型区晶体管的特性,该电压基准源 ...
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本方案分析讨论了低压差线性稳压器的设计方案及工作特性，并给出了关键模块的电路设计图，HSPICE的模 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-04-22
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