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文中设计的LDMOS器件主要是在耐压特性上做了改进，相对于RESURF技术、漂移区变掺杂、加电阻场极 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-08-13
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导读： 三十多年来，本体硅（bulk silicon）MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要C ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-17
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导读： 三十多年来，本体硅（bulk silicon）MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要C ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-17
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因只读存储器的基本存储单元只进行一次编程，编程后的数据能长时间保存，且在编程时需要流过mA级以上的 ...
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晴空万里 | 发表时间 2014-08-06
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金属氧化物半导体场效应晶体管是由一个金氧半二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面所组成。自从在1960 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-06
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导读： 三十多年来，本体硅（bulk silicon）MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要C ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-17
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本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-11-18
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所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指mosfet的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极 ...
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齐欣 | 发表时间 2015-08-13
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来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层 ...
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来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层 ...
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Dabing | 发表时间 2015-01-30
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本文提出了LDMOS器件漂移区电场分布和电势分布的二维解析模型，并在此基础上得出了LDMOS漂移区电 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-12-21
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本文主要讲了CMOS器件及其电路的相关知识，下面一起来学习一下： ...
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晓晓nn | 发表时间 2018-08-09
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电荷耦合器件（Charge Coupled Devices，CCD）是20世纪70年代初发展起来的新 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-12-03
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来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层 ...
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lotuse | 发表时间 2016-10-21
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本文将针对IGBT以及MOSFET器件的隔离驱动技术进行大致的介绍，帮助大家理解。 ...
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娇 | 发表时间 2016-03-26
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通过对几个方面的分析较为全面地介绍了嵌入式系统的低功耗设计方法。其中涉及到了CMOS器件功耗的理论分 ...
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Dabing | 发表时间 2015-01-31
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