搜索: 反向恢复 - 畅学电子网

由于IR2110内部不能产生负电压，因此在采用零电压关断IGBT时容易产生毛刺干扰，对此研究了IG ...

by _海蓝了夏迷了眼 | 发表时间 2015-12-21 |2229次查看

当一个功率MOSFET管被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流管时，体漏二极管的特性 ...

by 粽子糖果 | 发表时间 2017-05-16 |2127次查看

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by 晓晓nn | 发表时间 2021-02-04 |1592次查看

快恢复二极管FRD是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、 ...

by 露水非海 | 发表时间 2016-01-13 |1557次查看

为抑制输出整流二极管反向恢复引起的电压振荡,采用原边带箝位二极管的电路拓扑设计DC/DC变换器。通过 ...

by _海蓝了夏迷了眼 | 发表时间 2015-12-31 |1338次查看

这个是二极管的重要指标，所谓的快恢复，慢恢复二极管就是以此为标准。二极管在从正偏转换到反偏的时候，会 ...

by lotuse | 发表时间 2016-11-22 |1171次查看

氮化镓（GaN）晶体管的开关性能要优于硅MOSFET，因为在同等导通电阻的情况下，氮化镓（Ga ...

by 晓晓nn | 发表时间 2016-05-11 |894次查看

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by 晓晓nn | 发表时间 2020-04-10 |824次查看

由于器件关断前电流已下降到零，即线路电感中电流为零，所以感性关断问题得以解决。它不仅可以解决硬开关变 ...

by 长长11 | 发表时间 2020-03-18 |808次查看