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[ 资料 ]
现代快恢复二极管设计方法的研究.zip
基于改善快恢复二极管的的动态特性,通过对二极管的横、纵向参数来进行分析,理论上提出了快恢复二极管的设 ...
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一线蓝光
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上传于 2015-06-15
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一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计.pdf
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过s ...
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永不止步步
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上传于 2014-12-25
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[ 资料 ]
栅极宽度对IGBT通态压降的影响
利用
silvaco
软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真,在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IG ...
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永不止步步
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上传于 2014-12-01
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