对于工作于电流模式的DCDC变换器，通常需要电流检测元件，下面就介绍这些电流检测元件，并阐述它们各自的特点。
1 高精度的功率电阻
许多初学者对C中的void 和void 的指针类型不是很了解。因此常常在使用上出现一些错误，本文将告诉大家关于void 和void 指针类...
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期待 |发表时间 2015-09-17
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void关键字的使用规则：
1. 如果函数没有返回值，那么应声明为void类型；
2. 如果函数无参数，那么应声明其参数为void；
3. 如果函数的参数可以是任...
我们把SD卡从驱动到应用共分为4层，从下至上依次为：驱动层、物理层、文件系统层、应用层。下面一一来介绍各层的一些重要的操作。
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提示没有找到MSVCR80D.dll
R6034
An application has made an attempt to load the C runtime librar...
linux 常用命令及技巧:linux 常用命令总结: 一。 通用命令:1. date ：print or set the syste...
1 电流模式电流的取样方式
对于工作于电流模式的DCDC变换器，通常需要电流检测元件，下面就介绍这些电流检测元件，...
MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）...
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用RDS，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢?
三极管O...
FET管是由一大群小FET在硅片上并联的大规模集成功率开关。每个小FET叫胞，每个胞的电流并不大，只有百毫安级。设计师采用蚂蚁捍树的办法；多多的数量FET并联；达到开关大电流。也就...
场效应管的微变参数
<1.跨导gm在漏源电压UDS一定时，漏极电流ID的微量变化和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导，即
跨导是衡量场效应管栅源电压UGS对漏极...
新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、...
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我...
STSPIN8XX系列:
更平滑更精准更快速的步进控制
STSPIN8XX系列是ST新推出的低压马达驱动系列，全新的工艺，更好的...
引言
RECTRON拥有超过40年的整流器制造经验，拥有近700名经验丰富的员工，深受世界各地每一个客户的釆用和喜爱。凭借多年经验及敬业精...
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