问题和测试
在某产品中，一颗CMOS sensor的复位信号CMOS_RST和休眠信号CMOS_STB分别使用了1.5K电阻上拉，并且也分别连接到了CPU（TI的DM355）的两个GPIO上。
由于发现了sensor的CMOS_RST和CMOS_STB信号一直处于不可控状态（经软件检测确认是管脚分配错误），仅靠1.5K上拉电阻使其维持在大约2.8V的高电平状态（貌似不太影响整个sensor的一般工作，正常高电平应该是3.3V）。因为产品有一些问题存在，在查错过程中找到了这两个异常GPIO，后文是对其的一些测试和研究。
在CMOS_RST和CMOS_STB信号的1.5K上拉电阻不变的情况下，做了一些测试，发现CPU控制的GIO=0无法将实际的输出拉到低电平。对CMOS_RST信号做了一些测试，如表1所示。
表1
从表1的测试中发现，无论是上拉1.5K还是10K都无法在GIO输出低电平时使CMOS_RST的实际电压达到0.8V以下。
原因分析
查看CPU的datasheet，如图1所示。用于连接CMOS_RST和CMOS_STB信号的GIO100和GIO83内部有下拉电阻的设置，因此前面测试到外接1.5K或10K上拉电阻的低电平无法拉“低”的现象就可以解释了。
图1
此外，在DM355的datasheet并没有找到任何更多的信息，因此在TI官网一阵还找，终于发现了一些相关线索。在TI另一颗CPU中有关于GIO内部上下拉的比较详细的资料。
http://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/sprs660e/sprs660e.pdf
page66
这里不仅比较详细的说明了TI的CPU内部会有PD/PU，也提到了设计者如何考虑外部PD/PU的使用，主要是一些如配置管脚或特殊应用的管脚，需要有一个较明确的状态。而对于内部的PD/PU，虽然也没有太明确的说明，但特权同学找到了相关配置PD/PU的选择寄存器，如图2所示是可配置的。不过，对于这个案例中使用的DM355，找遍了寄存器手册，还是没有任何“可编程”或PU/PD可设置的相关寄存器。因此，只能怪咱运气不好，惹不起咋还躲不起吗，解决办法有一个，so easy——
图2
解决策略
将连接到有PD的两个GIO信号外部的上拉电阻删除，问题解决。一个很细节的设计case，但它却是很可能启发一些大问题，所以望大家引以为戒。
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