1.输入输出端不要靠的太近，特别是在高增益情况下

原因：

1）当为正相放大器时，靠近产生寄生电容->正反馈回路->引起震荡；这种震荡与输入信号无关，即是无输入也会发生，其频率由电路结构与寄生电容大小等因素决定。大部分为1MHz以上，随寄生电容大小变化，不仅产生电路震荡，甚至发生工作不稳定和特性变坏的情况。

2）当为反相放大器时，会产生米勒效应->引起高频特性变坏->形成LPF（信号端电阻Rg与米勒电容(A+1)C组成）。

米勒效应：输出信号相对于输入信号具有A倍增益，且为反相。当输入输出存在电容C时，从信号源来看，可以看成恰如在输入与GND之间存在有(A+1)C的电容的现象。

总结：无论正相放大还是反相放大，其输入输出端都不允许靠太近，特别在高增益或在宽频带放大器中！同时，对多级放大器也同样注意此问题。

2.电平差大的线不要靠得太近（电平差30~40dB以上），即使是直流也不允许

原因与上一个类似，高电位的电压波纹有可能会耦合到微弱信号侧，从而使微弱信号侧性能变坏，同时也有可能发生震荡等异常现象。

3.要区分小信号GND与大电流GND

原因：

由于GND存在电阻，大电流流过使其产生一定压降，此压降对大电流侧几无影响，但是却提高了小信号GND的电位，使得特性变坏。

总结：把所有大电流的GND单点接到一起，所有小信号GND单点接在一起，然后两点接一起。承载大电流流动的线要尽可能使布线电阻小且粗的线。

4.电源GND线分开到每个基板上

原因：

当电路较为复杂时，会分成几个基板模块，电源却只有一个，所以如果电源接到一个基板模块上，然后另一个基板的电源取自上一个基板上的电源，依次类推，那么这时会因为每一段电源线都存在电阻，所以，只要其中一个模块电流发生改变（汇总GND的电流增大，则流过该汇总电流的GND压降变大，也就是说，那些模块的地电位被提高->电源电压降低），那么就会使所有模块的电源电压发生改变！

总结：把所有基板模块的电源都并接在电源模块上即可解决问题。

5.电解电容要考虑到电流的流向

原因：

对于滤波电容，例如变压器后的电桥后接的稳压电容，如果实际布线的引出线是从电桥引出而不是在稳压电容引出，那么负载电流不通过滤波电容而直接流到负载电路，这样负载获得的电压会有较大电压波纹，且负载电流越大、滤波电容越大、二极管到滤波电容的布线越细长时越严重！

总结：布线时候注意实际电流流向，电流要先流进电容，然后流出，电容才能发挥最大作用。同时，这一点对电源旁路电容一样有效。

6.减小电流环路面积

原因：

电流环路面积大，受外部磁场等因素影响越大。其它环路的通电导线会产生磁场，环路面积越大，通过越多磁导线->对原电路产生越大影响。

总结：无论是信号线还是电源线，尽量使其面积尽量小，如果允许使用双绞线！否则也尽量使其面积小。

7.将 电源电路、功率电路 与 微小信号电路 远距离分开

原因：

微小信号电路容易受其它电路影响，而电源电路和功率电路处理的信号电平较大，易对其他电路产生影响。电源电路中，变压器是噪声生产大户，而且还有漏磁，所以还要注意变压器安装的方向。

8.尽可能将双晶体管/FET靠近放置

原因：

半导体对温度极其敏感，在以晶体管和FET特性相同为前提来设计电路的话，希望尽可能讲芯片的温度做得相同->尽量靠近做到热耦合。

9.将受热影响的器件远离热源，且考虑热空气的流动

10.注意实际电路板安装、调试等操作的可操作性

例如：

1.开孔位置（螺丝）是否碰及附近导线

2.需要调的元件（如变阻器、可变电容等）是否留够位置使用调试工具

3.安装散热器是否留够足够位置等等

总而言之，尽量从实际出发尽量考虑周全。