电压基准芯片是一类高性能模拟芯片，常用在各种数据采集系统中，实现高精度数据采集。几乎所有电压基准芯片都在为实现“高精度”而努力,但要在各种不同应用场合真正实现高精度，则需要了解电压基准的内部结构以及各项参数的涵义，并要掌握一些必要的应用技巧。

电压基准芯片的分类

根据内部基准电压产生结构不同，电压基准分为：带隙电压基准和稳压管电压基准两类。带隙电压基准结构是将一个正向偏置PN结和一个与VT（热电势）相关的电压串联，利用PN结的负温度系数与VT的正温度系数相抵消实现温度补偿。稳压管电压基准结构是将一个次表面击穿的稳压管和一个PN结串联，利用稳压管的正温度系数和PN结的负温度系数相抵消实现温度补偿。次表面击穿有利于降低噪声。稳压管电压基准的基准电压较高(约7V)；而带隙电压基准的基准电压比较低，因此后者在要求低供电电压的情况下应用更为广泛。

根据外部应用结构不同，电压基准分为：串联型和并联型两类。应用时，串联型电压基准与三端稳压电源类似，基准电压与负载串联；并联型电压基准与稳压管类似，基准电压与负载并联。带隙电压基准和稳压管电压基准都可以应用到这两种结构中。串联型电压基准的优点在于,只要求输入电源提供芯片的静态电流，并在负载存在时提供负载电流；并联型电压基准则要求所设置的偏置电流大于芯片的静态电流与最大负载电流的总和，不适合低功耗应用。并联型电压基准的优点在于，采用电流偏置，能够满足很宽的输入电压范围，而且适合做悬浮式的电压基准。

电压基准芯片参数解析

安肯（北京）微电子即将推出的ICN25XX系列电压基准，是一系列高精度，低功耗的串联型电压基准，采用小尺寸的SOT23-3封装，提供1.25V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V输出电压,并提供良好的温度漂移特性和噪声特性。

图1. 串联型电压基准芯片和并联型电压基准芯片示意图

表1列出了电压基准芯片与精度相关的各项参数。首先要考虑输出电压的初始精度。不同型号的电压基准芯片，初始精度可能从0.02%变化到1%。这就意味着它们能够达到不同的系统精度，0.02%能够适应12位的系统精度，1%只能够适应6位的系统精度。对于不能自行校准的系统，需要根据精度要求选择初始精度合适的芯片。多数系统设计者可以通过软件或硬件校准调整初始精度误差，因此初始精度并不是限制电压基准芯片应用的主要因素。

表1.电压基准芯片的主要参数。

输出电压的温度漂移系数是衡量电压基准芯片性能的一个重要参数。它代表一个平均量，可以通过这个参数估算芯片输出电压在整个工作温度范围内的变化范围，这个参数不代表某一特定温度点的输出电压随温度变化的斜率。由温度漂移导致的精度误差很难通过系统校准的方法来减小。

ICN25XX系列电压基准芯片采用专利的补偿电路和修调电路实现了良好的温度漂移特性：在-40C到125C温度范围内，温度漂移系数小于10ppm/C。图2为测试得到的典型温度漂移曲线。