FLASH一般是8位或16位，当它接到32位的ARM上时，地址位就会错位。对于16位FLASH，FLASH的A0要接ARM的A1。对于8位 FLASH，FLASH的A0要接ARM的A0。ARM的A0对应8位，ARM的A1对应16位，ARM的A2对应32位，如果FLASH 是32位，那么FLASH的A0接ARM的A2

32位的FLASH，FLASH的A0要接ARM的A2，因为32位地址表示4个字节，每 次要跳4个字节的话，那么就是从A2开始才变化，A1 A0不变化

16位的FLASH，FLASH的A0要接ARM的A1，因为16位地址表示2个字节，每次要跳 2个字节的话，那么就是从A1开始才变化，A0不变化

8位的FLASH，FLASH的A0要接ARM的A0，因为8位地址表示1个字节，每次要跳1个 字节的话，那么就是从A0开始才变化。

对于 16位的FLASH ，我们可以这样认为：16位存储器的设计者将低位A[0]省掉 了，我们只要读取一次就可以得到两个字节，读取的

总结，当RBLE＝1，WR 有效，BLS充当字节选择，其随WR，OE的变化而变 化，读、写操作时 BLS都是低电平，此时用于有字节选择的外部设备。

当RBLE=0，WR无效，此时用于无字节选择的外部设备，BLS可以充当 WR信号，而WR 无效。

不是ARM9 S3C2440的，但是有相似之处！

存储器映射：

0-1G(0x0000,0000 - 0x3fff,ffff):片 内Flash.

1-2G(0x4000,0000 - 0x7fff,ffff):片内RAM.

2-3.5G(0x8000,0000 - 0xbfff,ffff - 0xdfff,ffff):片外存储器。

3.5G - 3.75G(0xe000,0000 - 0xefff,ffff): VPB外设。

3.75G - 4G(0xf000,0000 - 0xffff,ffff): AHB外设。

虽然ARM7的寻址空间为4G,但是LPC2200系列只提供A0~A23总共16M的地址。片选信号CS0 - CS3是A24和A25的译码输 出，将片外存储区0x8000,0000 - 0x83ff,ffff划分为bank0 - bank3,共16M*4=64M.这4个bank可以被分别配置为8/16/32位总线宽度。复位时,bank0的总线宽度由Boot1:0引 脚决定, bank1为32位，bank2为16位，bank3为8位。

字节定位信号(BLS0 - BLS3)协调总线宽度和外存芯 片数据线宽度。

当Memory由“字节宽度器件”（如62256）或 者“未按照字节区分的多字节器件”组成时，应将RBLE设置为"0"。此时，读访问时EMC将BLS0~BLS3拉高。

当Memory由“含有字节选择输入的16位或32位器件”组成时，应将RBLE设置为"1"。此时， 读访问时EMC将BLS0~BLS3拉低。

所以，当Memory由62256组成时，由于不需要“片内字节选择输入”，故令RBLE = '0'，则BLS0~BLS3只会与nWR同步，可以代替nWR使用。

但是，当Memory由IS61LV25616AL组成时，由于该芯片有"nLB"和"nUB"控制低/高8位的输入，故令RBLE = '1'，则BLS0~BLS3与nRD和nWR都会同 步，此时，不可以使用BLS0~BLS3代替nWR信号。

地址数据总线：D0 - D31, A0 - A23, OE, WE, CS0 - CS3, BLS0 - BLS3

启动后由P2.7/P2.6控 制引导方式，然后由程序设置MEMMAP决定中断向量的映射。

BCFG0 - BCFG3控制读写延时和总线宽度。注意复位后的默认值。

PINSEL2控制引脚功能。

Boot Block

LPC2114/2214的BootBlock被固化在最高的Flash块中，运行时被映射到0x7FFF,E000 - 0x7FFFF,FFFF的区域。而LPC2210没 有片内Flash,但它有8K片内ROM存储了BootBlock,也被映射到0x7FFF,E000处。