晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。

　典型的测试和检验过程
　　1。芯片测试（wafersort）
　　2。芯片目检（dievisual）
　　3。芯片粘贴测试（dieattach）
　　4。压焊强度测试（leadbondstrength）
　　5。稳定性烘焙（stabilizationbake）
　　6。温度循环测试（temperaturecycle）
　　8。离心测试（constantacceleration）
　　9。渗漏测试（leaktest）
　　10。高低温电测试
　　11。高温老化（burn-in）
　　12。老化后测试（post-burn-inelectricaltest）