常见电子类硬件笔试题整理(含答案)，要去面试的你赶紧看看吧。

14、描述你对集成电路工艺的认识。（仕兰微面试题目）

15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？（仕兰微面试题目）

16、请描述一下国内的工艺现状。（仕兰微面试题目）

17、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目）

18、描述cmos电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？（仕兰微面试题目）

19、解释latch-up现象和antenna effect和其预防措施.（未知）

20、什么叫latchup?（科广试题）

21、什么叫窄沟效应? （科广试题）

22、什么是nmos、pmos、cmos？什么是增强型、耗尽型？什么是pnp、npn？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）

23、硅栅coms工艺中n阱中做的是p管还是n管，n阱的阱电位的连接有什么要求？（仕兰微面试题目）

24、画出cmos晶体管的cross-over图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。（infineon笔试试题）

25、以interver为例,写出n阱cmos的process流程,并画出剖面图。（科广试题）

26、please explain how we describe the resistance in semiconductor. compare the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional cmos process.（威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）

27、说明mos一半工作在什么区。（凹凸的题目和面试）

28、画p-bulk 的nmos截面图。（凹凸的题目和面试）

29、写schematic note（？）， 越多越好。（凹凸的题目和面试）

30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。（未知）

31、太底层的mos管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理，公式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。ic设计的话需要熟悉的软件: cadence,synopsys, avant，unix当然也要大概会操作。

32、unix 命令cp -r, rm,uname。（扬智电子笔试）

..........