一种GaN宽禁带功率放大器的设计.doc
时间:12-31 16:09
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简介：
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一,由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点,被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点,基于Agilent ADS仿真软件,利用负载/源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10 W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试,数据表明放大器在2.3~2.4 GHz范围内可实现功率超过15 W,附加效率超过67%的输出。实验结果证实,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
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