先简单介绍一下，我们组里主要研究方向是在硅或锗基底上生长 GeSn, GeSiSn 和 Ge. 我自己的研究主要集中在后两者上面。

硅用来做 CPU，是因为它的优点太多，而缺点都是可克服的。锗虽然也有优点(比如开启电压、载流子迁移率)，但它的几个缺点是很难克服的。

首先是价格。硅直接拿沙子就能制，虽然工艺复杂吧但是原料成本接近 0.锗在地壳中分布非常分散，成品锗(还不是半导体级别)的价格就已经超越了白银，印象中将近 2000 美元一公斤。

其次很大一个问题就是锗的氧化物不稳定，不好用。二氧化硅是致密的绝缘体，力学电学化学性质都很稳定，不溶于水;氧化锗没那么致密，还是溶于水的。这一条基本就宣告了 CPU 无望。

还有锗器件在稍高的温度下表现不良的问题，以及锗本身比硅重，又比硅软，更容易碎;等等。而且现在整个半导体行业都以硅为基础，没人会开发锗的 CPU。

目前锗的前途很大程度上在光电学方面，太阳能电池，光传感器，红外 LED，锗激光器(这个已经被 MIT 做出来了，但不是大家想象中的激光笔那样子)，等等。因为硅做激光完全不可能，锗又能比较容易地在硅上生长出来，因此大家的理想是将用锗做成的光学器件与硅做成的电子器件整合在一张硅片上。那就非常厉害了。