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米勒效应是三极管工作中常见的一种作用现象，然而，MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容，则会影响整体 ...
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齐欣 | 发表时间 2015-07-25
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本文主要就电路中漏极开路上拉电阻取值问题进行了探讨。 ...
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hcay | 发表时间 2014-12-30
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T1、T2为分立的NMOS三极管，s为源极，d为漏极，g为栅极。Rp为上拉电阻，一个连接在s,g之间 ...
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期待 | 发表时间 2015-10-24
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C8051F的每个I/O口引脚都可以被配置为推挽或漏极开路输出。同时引入了数字交叉开关，允许将内部数 ...
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畅学电子 | 发表时间 2014-09-02
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绝缘栅型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝， ...
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fl | 发表时间 2014-10-27
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单纯的考虑IDM电流没有意义，而是考虑最大漏极电流的持续时间。 ...
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永不止步步 | 发表时间 2016-09-18
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本文设计，仿真并制作了基于SiC MESFET器件的L波段E类功率放大器，输入输出阻抗匹配电路均采用 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-07-17
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场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor)，简称为场效应管，是一种高 ...
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期待 | 发表时间 2015-04-07
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本文介绍了集电极开路、漏极开路和推挽输出等输出方式的原理及实际应用注意事项。 ...
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一、定义 1、上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平！电阻同时起限流作用！下拉同理！ 2、上 ...
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lotuse | 发表时间 2016-10-31
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本文主要讲述共漏极放大电路的电压放大倍数、输入电阻及输出电阻。 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-01-04
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本文详细介绍了集电极开路（OC）/漏极开路（OD）输出的结构，配有原理图，简单易懂。 ...
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期待 | 发表时间 2015-03-21
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用于亮度控制的数据通常为4位至8位，对应于16至256个亮度等级；有些Maxim的LED驱动器的亮度 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-08
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导读： TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏 ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-10
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高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，大多数 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-05-16
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所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指mosfet的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极 ...
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齐欣 | 发表时间 2015-08-13
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本文介绍输入整流滤波器及钳位保护电路的设计，包括输入整流桥的选择、输入滤波电容器的选择、漏极钳位保护 ...
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A123 | 发表时间 2015-04-24
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本文介绍了推挽输出和开漏输出各自的特点、使用方法、适用场合以及注意事项等内容。 ...
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绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-01-04
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MOS管的工作原理：目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET（MOS管），是利用半导体表面的电 ...
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期待 | 发表时间 2014-12-29
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