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基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数，提出了一种新颖的二阶补偿结构，仅引入 ...
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宝啦宝呀|上传于 2015-06-17
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目前，已经可以在1.2V 65nm CMOS技术的基础上实现8Vpp和脉冲宽度调制射频高压/大功率驱 ...
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凯瑞|上传于 2015-05-18
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本文主要介绍了高效率E类射频功率振荡器的原理和设计方法，通过电路等效变换，E类射频功率振荡器最终转换 ...
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畅学e|上传于 2015-04-22
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并联应用时MOSFET管会产生电流分配不匀的现象，为减小此问题造成的不良影响，只能通过实验确定有关的 ...
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永不止步步|上传于 2015-02-06
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主要介绍了高效率E类射频功率振荡器的原理和设计方法，通过电路等效变换，E类射频功率振荡器最终转换成与 ...
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永不止步步|上传于 2014-08-28
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本书的主要内容包括：集成电路有源器件模型，双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术，单晶体管和多晶体 ...
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畅学电子|上传于 2015-05-20
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《电子技术自助宝典(第5版)》是一本全面的电子技术自学宝典 ...
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畅学电子|上传于 2015-04-20
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MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普 ...
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TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出 ...
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MOS属于单级型电压驱动器件，是栅极电压来控制漏极电流的。 ...
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Me|上传于 2015-11-10
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74HC595 是一款漏极开路输出的CMOS 移位寄存器，输出端口为可控的三态输 ...
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王者风范|上传于 2015-11-10
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来自离线开关电源开关节点的100fF电容会导致超出规范要求的EMI签名。这种电容量只需寄生元件便可轻 ...
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基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数，提出了一种新颖的二阶补偿结构，仅引入 ...
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上拉就是将不确定的信号通过一个电阻钳位在高电平，电阻同时起限流作用。下拉同理。也是将不确定的信号通过 ...
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齐欣|上传于 2015-06-17
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存储于漏极电感中的能量可使MOSFET产生雪崩现象，因此要添加一个由D1、R24和C6组成的钳压电路 ...
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期待|上传于 2014-12-27
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高灵敏声控报警器电路如图所示。场效应管VT1组成一级电压放大器，通过可调电阻RP调节场效应管放大器的 ...
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fl|上传于 2014-11-07
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本文先介绍了基于功率 MOSFET 的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的 ...
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hcay|上传于 2014-10-09
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所谓反激，就是开关管Q开通时，变压器原边积累能量；当Q关断时，Q的漏极的电势应该>+Vin，由 ...
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fl|上传于 2014-10-31
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存储于漏极电感中的能量可使MOSFET产生雪崩现象，因此要添加一个由D1、R24和C6组成的钳压电路 ...
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倩倩|上传于 2014-06-16
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