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1)防止三极管受噪声信号的影响而产生误动作，使晶体管截止更可靠!
三极管的基极不能出现悬空，当输入信号不确定时(如输入信号为高阻态时)，...
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mos管的工作原理（以N沟道增强型mos场效应管）它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状...
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场效应管的分类
场效应管（FET）是一种电压控制电流器件。其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。因而特别使用...
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齐纳二极管又称稳压管，它是一种用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，其代表符号如图（a）所示。前已提及，这种管子的杂质浓度比较大，空间电荷...
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FET管是由一大群小FET在硅片上并联的大规模集成功率开关。每个小FET叫胞，每个胞的电流并不大，只有百毫安级。设计师采用蚂蚁捍树的办法；多多的数量FET并联；达到开关大电流。也就...
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两个彼此绝缘、互相靠近的导体就构成了一个电容器。两个导体叫作电容器的两个极，分别用导线引出。电容器的文字符号是C。它的大小用电容量来衡量。电容量的基本单位是法拉（用...
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电容器在使用的过程中，难免会遇到这样那样的故障，小编这次为大家罗列了一些常见的电容器故障，这些电容器故障您都碰到过吗？
1、电容开路
问题描述：电容如果出现...
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新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、...
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直接短接电容只适合于低压小容量，对于高压或者大容量最好是用电阻放电
实...
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若要给电容器放电，请使用一只20,000欧姆、2瓦特的电阻器，这种接线部件可以在大多数电子用品商店买到，价格很便宜。将电阻器的...
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当电容连接到一电源是直流电 (DC) 的电路时，在特定的情况下，有两个过程会发生，分别是电容的 “充电&rdquo...
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作为信息的载体，除了原来的电荷之外，还有利用自旋现象的晶体管(Spin Transistor)。自旋晶体管不仅可使晶体管实现非易失化，还可以削减开关能量。估计2020年以后会实...
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绝缘电阻如何检测好坏？
在使用电气设备时，其绝缘程度的好坏对设备的正常运行和人身安全有密切关系。绝缘程度的好坏可以用绝缘电阻的高低来衡量，由于设备受热、受潮等原因，会使绝...
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超级电容器，是近年来随着材料科学和电子产品的发展而出现的一种介于传统电容器与电池之间的新型功率储能元件。具有高达数千法拉的电容量，瞬间放电电流可达数千安培。
超级电容器的...
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肖特基二极管（SBD）是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。肖特基二极...
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二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。
1．势垒电容CB（Cr）
PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质；而PN结两侧的P区、N区的电...
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最大反向峰值电压VRM
即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。 因给整流器加的是交流电压，它...
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肖特基二极管（SBD）是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。肖特基二极管...
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二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。
1．势垒电容CB（Cr）
PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质；而PN结两侧的P区、N区的...
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最大反向峰值电压VRM
即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。 因给整流器加的是交流电压，它...
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