。在使用MOSFET体二极管的情况下，一些反向恢复电流正好在N+源极下流过。图3显示了在

体二极管反向恢复期间的MOSFET故障波形。对于竞争产品A来说，故障刚好发生在电流达到

dv/dt=6.87V/ns处的峰值反向恢复电流之后。这意味着，这个峰值电流触发了寄生BJT。但

UniFET II MOSFET系列器件能够在甚至更高的dv/dt(14.32V/ns)下正常工作。

图3：体二极管反向恢复期间的电压与电流波形

图4显示了UniFET II MOSFET系列器件的强大

如何使处于输出短路状态的转换器可靠性受益。在输出短路后，工作模式从零电压开关

切换到了零电流开关。由于具有较小的 Qrr，UniFET II MOSFET系列器件的电流尖峰要低得

多，而最重要的是，器件没有发生故障。

图4：UniFET II MOSFET系列器件在短路状态下的工作波形转换器在启动期间还可能发

生其它不良行为。图5显示了启动时的开关电流波形。超过27A的大电流尖峰是由于大峰值

反向恢复电流引起的，它能触发控制IC的保护功能。相反，UniFET II MOSFET系列器件没有

产生高的电流尖峰。

图5：启动时的开关电流波形

为了比较UniFET II MOSFET系列器件和竞争产品的电源转换效率，我们设计了一个150W的

半桥LLC谐振转换器。效率测量结果见图6。在整个输入电压范围内，UniFET II MOSFET的系

统效率都比竞争者高。获得更高效率的主要原因是由于，更低的Qg和Eoss减少了关断损耗

和输出电容损耗。

图6：LLC谐振转换器的效率比较

本文小结

新型功率

系列器件整合了强大的体二极管性能和快速开关性能，可在谐振转换器应用实现更高的

可靠性和更高的效率。由于减少了栅极电荷和输出电容中存储的能量，因此降低了驱动损耗

并提高了开关效率。UniFET II MOSFET系列器件能够以最低的成本为设计人员提供更高的可

靠性和效率。