该器件主要特点：第1路降压式转换器的内部开关管的开关电流可达 2.2A（R DS(ON) =0.16Ω）;第2路降压式转换器的内部开关管的开关电流可达3.2A（RDS(ON)=0.16Ω）;输入电压范围4～20V;输出电压可由两外设电阻设定,最低电压为1.267V;开关频率可设定在300～600kHz范围内;内部有输入欠压保护及过热保护;24引脚TSSOP封装;工作温度范围-40℃～+125℃。

引脚排列与功能

LM2717-ADJ的引脚排列如图1所示,各引脚的功能如图1所示。

图1 LM2717-ADJ的引脚排列

有关参数（典型值）

LM2717-ADJ有关参数如下：静态电流I Q=2.7mA;基准电压V BG=1.267V;输入电压V IN为4～20V;开关电流限制值：第1路为2.2A,第2路为3.2A;频率设定是电阻R F：R F=4.64kΩ时,F SW=300kHz;R F=2.26kΩ时,F SW=600kHz;关闭控制：电源正常工作,VH>1.8V;电源关闭,NL<0.7V;输入电压V IN低于3.6V时低压锁存;输入电压V IN高于3.8V时正常工作。

典型应用电路

图2 输出15V及3.3V的应用电路

图3 输出5V及3.3V的应用电路

图4 自举升压电路

LM7217-ADJ的典型应用电路如图2及图3所示。图2是一种输入17～20V,输出15V及3.3V的应用电路;图3是在相同输入电压下,输出5V及3.3V的应用电路。这两个电路的基本参数都相同,主要差别在设定输出电压到反馈端的电阻分压器的阻值不同。图2、3中的C BOOTx（x值是1或2）是自举式升压电容器,它可以提高驱动器的电压,保证N-MOSFET有足够的VGS电压,如图4所示。在上电的瞬间,从VIN→D→C BOOST→LX→C OUTX到地的电流给C BOOST及C OUTX(包括C OUTXA)充电,由于C BOOST<<（C OUTX+C OUTXA）,所以V IN的电压大部分降在C BOOST上。C BOOST上的电压V CBOOST等于驱动器电压V DRI,保证了N-MOSEFT的V GS电压值。

本文主要介绍电路中一些元器件参数的选择。

1 输出电压的设定

输出电压V OUT与图1、2中的反馈电路分压电阻R FB1(3)及R FB2(4)有关,其关系式为：

V OUT=(1+R FB1(3) /R FB2(4) )×1.267V （1）

现R FB2(4)设为20kΩ,则在要求的V OUT下可求出R FB1(3)值。例如,V OUT要求3.3V,R FB2设为20kΩ,按上式可求得R FB1为32.09kΩ,可取33kΩ（图中R FB1=36.5kΩ、R FB2=20.4kΩ,则按公式计算出V OUT=3.53V,这考虑是在有负载时,输出电压有下降的原因,将电压提高了0.23V）。

2 输入电容C IN及输出电容C OUT选择

输入电容要选择等效串联电阻（ESR）小的铝电解、钽电解电容或陶瓷电容。电容要根据其纹波电流尺寸大小来选择。纹波电流I RIPPLE与I OUT、V OUT、V IN有关,其关系式为：

（2）

例如,I OUT=2A、V OUT=3.3V、V IN=17V,则可求得I RMS=0.79A。则可从电容器样本上找到耐压为25V、允许纹波电流大于0.79A的电容器即可。

输出电容除要满足纹波电流要求外,还要求满足输出纹波电压的要求,一般可根据要求的纹波电压V RIPPLE来确定C OUT的容量大小,其关系式为：

V RIPPLE=I RIPPLE(E SR+1/8F SW×C OUT)（3）

式中,I RIPPLE为纹波电流、ESR为输出电容的等效串联电阻、F SW为开关频率。C OUT应选ESR小、允许纹波电流大的OS-CON或POSCAP（有机聚合物为电解质的铝或钽电解电容）。输出电容往往再并联一个小容值的陶瓷电容,可滤去高频纹波电压。

3 肖特基二极管（D1、D2）的选择

肖特基二极管的耐压要大于最大输入电压25%以上,额定整流电流要等于最大输出电流。

4 电感器L1及L2的选择

电感器L1及L2下式计算：

L1或L2=（V IN-V OUT）V OUT/V IN×I RIPPLE×F SW （4）

例如,V IN=17V、V OUT=3.3V、I OUT(max) =2A、I RIPPLE=0.6A、F SW=300kHz,则L1或L2为14.8μH（计算值）,可取标准值22μH。式中,I RIPPLE取I OUT(max)的30%作估算值,若I OUT(max) =2A时,则I RIPPLE=0.6A。电感器的饱和电流要大于1.2×I OUT(max) ,且要选其直流电阻小的电感器（≤0.2Ω）。

5 软启动电容的选择

软启动的目的是防止启动时的大冲击电流的产生,方法是通过向外接软启动电容CSS充电。软启动时间TSS与CSS及充电电流ISS的关系为：

T SS=C SS×0.6V/ ISS（5）

一般T SS取3ms,I SS的典型值为9μA,则C SS可取47nF。

结束语

在实际使用中,只要按输出电压来计算R FB1(3)及R FB2(4),其它元器件可按图1、2的参数选择即可,不必一一计算。例如,图中D1、D2肖特基二极管用的型号MBRS240是耐压40V、额定正向整流电流是2A的。若此器件找不到,MBR350（额定正向整流电流是3A,耐压50V）也可代用。输入、输出电容的纹波电流按30%I OUT(max)来估算,选电容器的允许纹波电流大于30%I OUT(max)的即可;另外,选ESR≤50mΩ的为好。