半导体放电管,是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。

半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管使用。但它的导通特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流元件，使其续流小于最小维持电流。

半导体放电管的工作原理：

固体放电管抑制过压一般靠的是它的击穿电压平箝位作用。击穿电流升至Is值 时，器件迅速进入导通状态，这时近乎短路，通过很大的浪涌电流或脉冲电流，将起到快速消除浪涌的目的。器件具有高电流容量和较大的电流上升率。一般说来雷 电干扰的持续时间很短（约为几百微秒），为此要求器件具有放电能力。放电能力的优劣通过最大脉冲电流衡量。电流上升率越大，放电电流越大，放电时间越短， 换句话说，通过电流持续时间越短，允许通过的脉冲电流越大。半导体放电管工作状态如同一个开关。在断开状态下，其漏电流Idrm极小，不会影响与其并联的被保护电路的正常工作。当瞬间过电压超过其断态峰值电压Vdrm时，产生瞬间雪崩效应，一旦瞬间电流超过开关电流Is，其电压即降为导通电压Vt，大量的瞬间浪涌电流就此旁路而因保护了并联的敏感电子线路。浪涌之后，当电力降到最小维持电流Ih值之下时，半导体放电管自然恢复，回到其阻断状态