为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0.25 μm N阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T-SPICE软件仿真表明，在3.3 V电源电压下，当温度在－20~70 ℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10×10-6/℃，输出电压的标准偏差为1 mV，室温时电路的功耗为5.283 1 mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。
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