提出了一种应用于IrDA的高增益CMOS共栅前置放大器。与传统的共源共栅结构不同,该电路采用宽摆幅共源共栅作负载以获得高增益。从理论上对电路的可行性进行了分析,采用CSMC 0.61xm CMOS工艺的仿真结果表明该电路具有110.3dBl~的增益,105kHz的带宽,电路功耗仅为200v~W。
7-19 建立CMOS器件的IBIS模型
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