传统CMOS工艺缩放技术的发展正逐渐逼近极限，迫切需要采用新材料和新器件设计。随着这些新材料和新设计的出现，人们非常关注潜在失效机理，并需要进行更多的可靠性测试。诸如偏温不稳定性（N-BTI和P-BTI）等失效机理需要高速信号源和测量功能才能解析快速恢复效应。通过分析包括在运行中测量在内的各种测量技术，有助于利用合适的仪器实现有效的测量解决方案。
7-19 建立CMOS器件的IBIS模型
一周搞定系列之模电_第3讲_电容、三极管、场效应管介绍
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一周搞定系列之模电_第2讲_二极管介绍
一周搞定系列之模电_第7讲_电源电路
一周搞定系列之模电_第5讲_基本放大器
一周搞定系列之模电_第8讲_集成运算放大器（上）
学看电路图入门 常见电子元器件识别 （通俗易懂）
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