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设计了一种改进型开环结构采样保持电路。与传统M川er电容开环结构相比，本设计采用了新型Bootsra ...
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Dabing|上传于 2015-03-17
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本书的主要内容包括：集成电路有源器件模型，双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术，单晶体管和多晶体 ...
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畅学电子|上传于 2015-05-20
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本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角 ...
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龍鳳呈祥|上传于 2015-04-24
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以N 沟道增强型场效应管为核心,基于H 桥PWM 控制原理,利用光电隔离器设计了一种大功率直流电机驱 ...
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IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加 ...
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YYJ|上传于 2015-05-13
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采用Atias 对SOI / CMOS 兼容横向pin 近红外锗硅光探测器进行了模拟分析。结果显示， ...
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宝啦宝呀|上传于 2015-05-12
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设计了一种改进型开环结构采样保持电路。与传统M川er电容开环结构相比，本设计采用了新型B ...
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Dabing|上传于 2015-03-25
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提出了一种基于ARM的CAN总线电力电缆沟道监测系统，给出系统整体结构,详细介绍了系统硬件设计方案， ...
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永不止步步|上传于 2015-02-02
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该电路主要由锂电池保护专用集成电路ＤＷ０１，充、放电控制ＭＯＳＦＥＴ１（内含两只Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ） ...
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hcay|上传于 2014-11-28
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随着电能变换技术的发展，功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用。为此，美国硅通用半导体公司推出了 ...
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fl|上传于 2014-10-31
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随着电能变换技术的发展，功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用，为此美国硅通用半导体公司（Sil ...
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fl|上传于 2014-10-31
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以N沟道增强型场效应管为核心，基于H桥PWM控制原理，设计了一种直流电机正反转调速驱动控制电路，满足 ...
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永不止步步|上传于 2014-08-05
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该电路主要由锂电池保护专用集成电路ＤＷ０１，充、放电控制ＭＯＳＦＥＴ１（内含两只Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ） ...
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永不止步步|上传于 2014-07-30
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MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类 ...
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倩倩|上传于 2014-06-18
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