1.ARM中一些常见英文缩写解释MSB:最高有效位;LSB:最低有效位;
昨天晚上想着MDK调试LPC的时候貌似是在FLASH里面调试的,还是有些局限性的,比如只能打2个硬件断点,每次都要下载等。今天在网上搜了一下怎样在RAM里面调试的方法总结一下,记录...
单板选择NandFlash启动,则硬件上电后,系统会自动将NandFlash中的前4K内容拷贝到STEPSTONE即4K SRAM中,然后从SRAM中的0X0地址启动。基于mini...
NOR FLASH 和NAND FLASH主要区别
NOR地址线和数据线分开,NAND闪存芯片因为共用地址和数据总线
NOR容量较小,NAND容量较大
在擦除速度...
系统的返回指针的函数一般都是静态变量指针返回,这个指针指向的内存是同一个区域,存在覆盖问题,在使用中要注意。而且这个函数一般系...
1.ARM中一些常见英文缩写解释
MSB:最高有效位;
LSB:最低有效位;
AHB:先进的高性能总线;
VPB:连接片内外设功能的VLSI外设总线;
EMC:外部存储器...
ERROR L107: ADDRESS SPACE OVERFLOW
SPACE: DATA ...
单片机内部存储结构分析 我们来思考一个问题,当我们在编程器中把一条指令写进单片要内部,然后取下单片机,单片机就可以执行这条指令,那么这条指令一定...
引言
在嵌入式系统市场中,尽管32位处理器炙手可热,却始终无法完全取代8位单片机,二者各有千秋[1]。目前,国内院校单片机课程大都以51单片机为主线进行讲授,但51系列单片机资源...
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access MEMory):为同步动态随机存取内存,前缀的Synchronous告诉了大家这种内存的特性,也就是...
错误代码及错误信息 错误释义 error 1: Out of MEMory 内存溢出 error&n...