搜索: 饱和区 - 畅学电子网

[ 话题 ] 51系列IO口上拉电阻的学习使用心得

一般在51端口（P1、P2、P3）某位用作输入时，必须先向对应的锁存器写入1，使FET截止。也有特殊的情况存在。所谓IO口内部与电源相连的上拉电阻而非一常规线性电阻，实质上，该电阻...

来自 51讨论交流|by 一见钟情 |发表时间 2016-10-17 |0个回复

[ 话题 ] 第十三讲三极管的特性曲线

第十三讲三极管的特性曲线三极管的特性曲线是描述三极管各项参数的依据，过去，三极管在出厂时都有一个特性曲线与之对应，从其特性曲线上可以大致看...

来自畅学模拟电路|by 冯大同 |发表时间 2014-03-07 |0个回复

[ 话题 ] 17-3:动态分析续（这一节静态等效多）

第十七讲第17讲（续3）放大电路动态分析小信号等效电路分析法也叫微变等效电路分析法还叫H参数等效电路分析法沿着上一讲继续叙述...

来自畅学模拟电路|by 冯大同 |发表时间 2014-03-13 |0个回复

[ 话题 ] 模电中的放大区和饱和区怎样快速判断啊？

在模拟电子技术基础中，有很多对晶体管的运用，但是有很多什么区的判断，怎样快速判断他是什么区啊？当发射结正向偏。集电结反偏。为放大状态。基极电压持续上升到集电结也正...

来自畅学模拟电路|by 期待 |发表时间 2015-09-17 |0个回复

[ 话题 ] 场效应管的检测及使用注意事项！

一、用指针式万用表对场效应管进行判别 1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的...

来自畅学模拟电路|by 银火虫 |发表时间 2016-06-07 |0个回复

[ 话题 ] 电机驱动中的IGBT过流保护及短路保护

摘要工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间...

来自电机驱动模块|by 一见钟情 |发表时间 2017-09-21 |0个回复

[ 话题 ] 可穿戴式心率信号采集预处理电路设计

心率信号采集预处理电路：脉搏信号采集预处理电路主要是将脉搏波转换成电信号，并进行初步高频滤波预处理。其关键部分就是光电式脉搏传...

来自医疗电子社区|by 粽子糖果 |发表时间 2017-02-14 |0个回复

[ 话题 ] 2015-04-08期【每日一学】直流等效电路

电路图中两通路，直流、交流分清楚，交流叠加直流上，直流不稳交流误。直流等效分析法，考虑电流与偏压，了解静态工作点，计算关键点电...

来自每天学点儿小知识|by 畅学电子 |发表时间 2015-04-08 |0个回复

[ 话题 ] 2015-04-13期【每日一学】单管放大电路

单管放大三形式，共发、共集、共基极，其他电路可组合，基本性质要牢记。共发放大最基本，发结正偏集结反，饱和失真Q偏高，截止失真Q...

来自每天学点儿小知识|by 畅学电子 |发表时间 2015-04-13 |0个回复

[ 话题 ] 请善待闲置的OP AMP！

6. 在双通道或者四通道中未使用的运算放大器，最好…（答案：a） a) &...

来自模拟技术经验分享|by 永不止步步 |发表时间 2015-09-21 |0个回复

[ 话题 ] 模拟电子技术基础100问之二

　　11、二极管主要用途有哪些？　　答：整流、检波、稳压等。　　12、晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？　　答：通过电流分配关系。　　13、能否用两只二极管相...

来自模拟技术经验分享|by 粽子糖果 |发表时间 2017-06-02 |0个回复

[ 话题 ] 单片机开发工程师面试题

单片机开发工程师（只允许30分钟完成）1.请列举出你所知道的单片机品牌？你使用过其中多少种？2.用你熟悉的单片机写一段10MS软件件延时程序？

来自面试考题及资料汇总|by 永不止步步 |发表时间 2015-04-22 |0个回复

[ 话题 ] 晶体管的工作状态判断和工作条件

晶体管是模拟电路中基础的器件，对于电子工程师来说，了解晶体管工作的条件和判断晶体管的工作状态都是非常基础的，本文将带大家一起...

来自电子技术基础|by 粽子糖果 |发表时间 2017-05-26 |0个回复

[ 话题 ] IW5110固态强光防爆灯充电器

固态强光防爆灯采用冷光源，发热量低，工作电流小，防爆，广泛用在易燃易爆(如煤矿等)工作场所，该灯采用大容量锂离子电池，环保，无...

来自电源技术交流讨论区|by 粽子糖果 |发表时间 2017-02-27 |0个回复

[ 话题 ] 三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断

本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。三极管饱和问题总结： 1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算...

来自电子元器件|by 银火虫 |发表时间 2016-06-07 |0个回复

[ 话题 ] MOSFET和三极管ON状态有什么区别？

MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢? 三极管O...

来自电子元器件|by 银火虫 |发表时间 2016-06-08 |0个回复

[ 话题 ] 什么是三极管的倒置状态及其作用！

1、什么是三极管的倒置状态？集电结正偏，发射结反偏，为倒置状态；集电结正偏，发射结正偏，为饱和状态；集电结反偏，发射结反偏，为倒截止态；集电结反偏，发射...

来自电子元器件|by 银火虫 |发表时间 2016-06-08 |0个回复

[ 话题 ] 三极管种类和三极管的种类分法

a.按材质分三极管种类有: 硅管、锗管 b.按结构分三极管的种类有: NPN 、 PNP c.按功能分三极管种类有: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等 d.按三极管消耗功率...

来自电子元器件|by 粽子糖果 |发表时间 2017-01-18 |0个回复

[ 话题 ] 三极管基础知识 3

三极管的放大原理以下用NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大原理， 1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置，发射区的多数...

来自电子元器件|by 粽子糖果 |发表时间 2017-01-19 |0个回复

[ 话题 ] 低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较

新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、...

来自电子元器件|by 粽子糖果 |发表时间 2017-02-21 |0个回复