该电路是一个基于MOSFET的线性稳压器，1安培电流时低至60mV 的电压降。

具有较低的漏极与源极导通电阻RDS（ON）的场效应管（MOSFET）是减少电压差的关键。图1中的电路采用双15伏降压变压器，采用N沟道MOSFET的IRF 540，直流12V输出，输入直流可低至12.06伏。MOSFET栅极所需驱动电压使用电压倍增器提供，电路由二极管D1和D2、电容器C1和C4组成。

电路能够提供高达3A的输出，MOSFET需要足够的散热片。电阻VR1在电路中用于精密调整输出电压。电容器C5和电阻R2提供误差放大器补偿。该稳压电路具有短路保护，在正常工作条件下，在电容器C3的电压将是6.3V和二极管D5将在关闭状态，因为12V输出电压它将反向偏置。然而，输出短路时，输出将瞬间下降，造成D5导通和IC1将被触发，拉低栅极电压，从而限制输出电流。该电路将保持锁定在这种状态下，输入电压必须关闭复位。

在图2电路遵循类似的方案。栅极电压使用lm555电荷泵电路产生的输出：当555输出为低，电容C2通过二极管D1充电。在下半周，当555输出高电平，电容C3会将储存电力与输出电压串联输出，并在C3上产生电压。其余的电路与图1的电路类似。这些电路将帮助保持较低的输入电压范围内调节，初步设计或甚至在现有电路中的功率损失减少。相比传统的稳压设计这将用相对低的输入电压。使用多个低RDS（ON）的MOSFET并联将进一步降低压降。